3대 신소재 응용기술 개발 가속

정부가 디지털·그린 뉴딜의 핵심 부품인 차세대 전력 반도체 육성에 본격적으로 나서기로 했다.

정부는 지난 1일 제7차 혁신성장 빅3 추진 회의를 열고 이같은 내용을 담은 차세대 전력 반도체 기술개발 및 생산역량 확충 방안을 발표했다.

전력 반도체란 전력의 변환·변압·안정·분배·제어를 수행하는 반도체를 말하며, 차세대 전력 반도체는 실리콘보다 전력 효율과 내구성이 뛰어난 3대 신소재 웨이퍼로 제작된 반도체를 뜻한다.

인공지능(AI), 5G나 고온·고압 내구성이 필요한 전기차, 신재생에너지 발전의 인버터 등에 적용되는 필수 부품이다. 앞으로 전자기기 수요가 확대되고 전력 소비가 늘 것으로 예상되면서 미래 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힌다.

이에 정부는 2025년까지 글로벌 수준의 경쟁력을 확보하기 위해 상용화 제품 개발, 기반 기술 강화, 미래 제조공정 확보 등을 본격적으로 지원하기로 했다.

국내 수요기업과 연계한 과제를 발굴해 차세대 전력 반도체 상용화 제품을 5개 이상 개발할 방침이다.

현재 실리콘 소재의 한계를 극복하기 위해 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN), 갈륨 옥사이드(Ga2O3) 3대 신소재 응용기술을 개발하고, 국내 기업의 소재·웨이퍼 기술 확보를 지원할 방침이다.

고집적·고성능 차세대 전력 반도체 개발을 위해 파워 집적회로(IC) 설계 기술개발을 지원한다.

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